创新设计和制备兼具记忆和逻辑运算功能的新型忆阻功能材料📨🧞，开发具有优异的保持力➖、耐用性和器件间性能一致性的忆阻器(memristor）👨🦯，已成为后摩尔时代人工智能芯片领域突破基于传统冯·诺依曼架构的算力瓶颈和摩尔定律限制的重要创新方向🧛🏿，也是一项极具挑战性的课题。虽然这类器件具有结构简单、速度快、功耗低、高存储容量和存内数据处理能力及与CMOS工艺兼容等优点𓀇，但是大多数阻变介质的结构不均匀性通常会导致随机和高度局部的电阻开关特性⛹️，从而降低了实际应用中纳米级忆阻器的良率和可靠性🙇🏼♀️🌤。
https://www.nature.com/articles/s41467-021-22243-8.pdf